Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHD108NQ03LT,118
MOSFET N-CH 25V 75A DPAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHD108NQ03LT
PHD108NQ03LT,118 Hakkında
PHD108NQ03LT, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltaj aralığında 75A sürekli akım kapasitesine sahip bu komponent, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252 DPAK paketinde sunulan cihaz, 6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp işletim sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, motor kontrol, voltage regulator, DC-DC konvertör ve endüstriyel güç elektronik devreleri gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılmaktadır. Maksimum 187W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1375 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok