Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB55N03LTA,118
MOSFET N-CH 25V 55A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB55N03LTA
PHB55N03LTA,118 Hakkında
PHB55N03LTA, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 55A sürekli drain akımı ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile kompakt devre tasarımına uygun hale getirilmiştir. 14mOhm maksimum kaynağa-drenaja direnç (10V gate geriliminde) ile düşük güç kaybı sağlar. Güç yönetimi, motor kontrol, LED sürücüsü ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 55A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok