Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB38N02LT,118

MOSFET N-CH 20V 44.7A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB38N02LT

PHB38N02LT,118 Hakkında

PHB38N02LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi (Vdss) ve 44.7A sürekli drenaj akımı (Id) ile yüksek akım uygulamaları için tasarlanmıştır. 16mOhm maksimum on-direnç (Rds On) değeri ile enerji kaybı en aza indirilir. TO-263-3 (D²Pak) SMD pakajına sahip olup, anahtarlama devreleri, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 57.6W güç disipasyon kapasitesine sahiptir. Not: Bu komponent üretimi durdurulmuş durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 44.7A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 800 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 57.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16mOhm @ 25A, 5V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) 12V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok