Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB32N06LT,118

MOSFET N-CH 60V 34A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB32N06LT

PHB32N06LT,118 Hakkında

PHB32N06LT,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltajı ve 34A sürekli drain akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlara uygun hale getirilmiştir. 37mΩ maksimum on-direnci (10V, 20A'da) düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışan cihazlarda, anahtarlama devreleri, motor kontrol, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. 97W maksimum güç dağıtımı kapasitesi ile ısıl tasarımda esneklik sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 34A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 5V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1280 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 97W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 37mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok