Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB29N08T,118

MOSFET N-CH 75V 27A D2PAK

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB29N08T

PHB29N08T,118 Hakkında

PHB29N08T,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltaj ve 27A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 50mOhm maksimum on-resistance değeri ile düşük güç kaybında çalışır. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paket içinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi uygulamaları, motor kontrol devreleri, AC/DC konvertörleri ve anahtarlamaya dayalı güç kaynakları gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen ve 88W maksimum güç tüketebilen bu MOSFET, hızlı anahtarlama ve verimli enerji yönetimi gerektiren tasarımlarda tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 27A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 11V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 810 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 14A, 11V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±30V
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 2mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok