Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB29N08T,118
NEXPERIA PHB29N08T - 27A, 75V, 0
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB29N08T
PHB29N08T,118 Hakkında
PHB29N08T, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 27A sürekli drenaj akımı ve 75V drenaj-kaynak gerilimi ile orta güç uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. 50mOhm maksimum açık durumda direnç (RDS On) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-263-3 (D²Pak) surface mount paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrolü, güç yönetimi, LED sürücüleri ve endüstriyel kontrol devreleri gibi anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve 88W maksimum güç tüketimi özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 11V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 810 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 88W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 14A, 11V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 2mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok