Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB222NQ04LT,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB222NQ04LT
PHB222NQ04LT,118 Hakkında
PHB222NQ04LT, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltaj desteği ve 75A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. 2.8mΩ maksimum on-dirençi (Rds On) ile düşük güç kayıpları sağlar. 300W maksimum güç dağılımı özelliği ile güç elektroniği devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerinde yaygın olarak uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanımını destekler. Bileşen obsolete durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 93.6 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 7880 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok