Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB20N06T,118
MOSFET N-CH 55V 20.3A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB20N06T
PHB20N06T,118 Hakkında
PHB20N06T,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 20.3A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, düşük 75mOhm on-state direnci sayesinde anahtarlama ve amplifikasyon devreleri, motor kontrol, güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücülerde yer alır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen geniş sıcaklık aralığı, endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygundur. 10V gate sürüş gerilimi ile TTL/CMOS lojik seviyesi ile uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 483 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75mOhm @ 10A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok