Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB18NQ10T
PHB18NQ10T,118 Hakkında
PHB18NQ10T,118, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. 10V drive voltajında 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey monte pakajı sayesinde kompakt tasarımlar için uygundur. -55°C ile 175°C arası sıcaklık aralığında çalışabilir. Gate charge değeri 21nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarına elverişlidir. Güç kaynakları, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler ve yüksek akımlı anahtar uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Last Time Buy |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok