Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB18NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB18NQ10T
PHB18NQ10T,118 Hakkında
PHB18NQ10T,118, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, yüksek güç uygulamalarında anahtar görevi yapar. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketi ile sağlanan transistör, 90mOhm maksimum on-state direnci ile düşük enerji kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen cihaz, endüstriyel denetim sistemleri, güç yönetimi devreleri, motor sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi uygulamalarda kullanılır. 10V kapı sürülmesi ile hızlı anahtarlama özelliği sunmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 633 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 79W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 9A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok