Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB153NQ08LT,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB153NQ08LT

PHB153NQ08LT,118 Hakkında

PHB153NQ08LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı ile yüksek güç uygulamalarında kullanılır. TO-263-3 (D²Pak) paketine sahip yüzey montajlı bileşendir. 5.5mΩ'luk tipik on-state dirençi, 95nC gate charge ve 300W güç dağıtımı kapasitesi ile motor kontrolü, güç kaynakları, enerji dönüştürücüler ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Not: Bu ürün üretimi durdurulmuştur (obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8770 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok