Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB152NQ03LTA,118

MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB152NQ03LTA

PHB152NQ03LTA,118 Hakkında

PHB152NQ03LTA, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi (Vdss) ve 75A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²Pak (TO-263) yüzey montaj paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama devreleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve DC-DC konvertörleri gibi yüksek akım gerektiren uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3140 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok