Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB146NQ06LT,118

MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB146NQ06LT

PHB146NQ06LT,118 Hakkında

PHB146NQ06LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 75A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. TO-263-3 (D²PAK) yüzey montajlı paket ile sunulan bu bileşen, 5.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığına uyumludur. Endüstriyel kontrol sistemleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve yüksek akım anahtarlaması gerektiren uygulamalarda kullanılır. 250W güç disipasyon kapasitesi ile ağır yükleme koşullarında işletilmeye uygundur. Bileşenin üretimi durdurulmuştur (Obsolete).

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 55 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5675 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok