Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PHB129NQ04LT,118

MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK

Paket/Kılıf
TO-263-3
Seri / Aile Numarası
PHB129NQ04LT

PHB129NQ04LT,118 Hakkında

PHB129NQ04LT, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. D²PAK (TO-263) yüzey montaj paketi ile PCB tasarımında kompakt çözüm sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrolü ve inverter tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir. ±15V gate gerilimi aralığında güvenli şekilde çalışır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3965 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package D2PAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok