Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB119NQ06T,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB119NQ06T
PHB119NQ06T,118 Hakkında
PHB119NQ06T,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip, yüksek akım uygulamalarında güç anahtarlaması için tasarlanmıştır. D²Pak (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel kontrol devreleri, motor kontrol uygulamaları, güç kaynakları ve anahtarlama dönüştürücülerinde kullanılır. 7.1mOhm maksimum on-state direnci ile düşük ısı kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 53 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2820 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.1mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok