Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB112N06T,118
MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB112N06T
PHB112N06T,118 Hakkında
NXP Semiconductors PHB112N06T,118, 55V 75A kapasiteli N-Channel MOSFET transistördür. D2PAK (TO-263) yüzey montajlı paket ile üretilen bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtar görevi görmektedir. 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 200W güç dağıtım kapasitesi, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel ve ticari uygulamalarda kullanılabilir. Switching power supplies, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında tercih edilir. Komponentin üretimi durdurulmuştur (Obsolete status).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 87 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4352 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 200W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok