Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB110NQ08LT,118
MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB110NQ08LT
PHB110NQ08LT,118 Hakkında
PHB110NQ08LT,118, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 75V drain-source voltajı ve 75A sürekli drenaj akımı ile yüksek akım uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. D2PAK (TO-263-3) yüzey montajlı pakette sunulan bu bileşen, 8.5mOhm maksimum on-state direnci ile verimli güç yönetimi sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen PHB110NQ08LT, güç kaynakları, motor sürücüleri, ağır akım anahtarlama devreleri ve endüstriyel kontrol uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 230W maksimum güç saçtırma kapasitesi ile ısıl yönetim gerektiren uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 127.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6631 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 230W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok