Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB108NQ03LT,118
MOSFET N-CH 25V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB108NQ03LT
PHB108NQ03LT,118 Hakkında
PHB108NQ03LT, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 25V drain-source gerilimi ve 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. D2PAK (TO-263-3) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 10V gate geriliminde 6mOhm'luk düşük RDS(on) değeriyle karakterize edilmiştir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir ve 187W güç dağıtabilir. Yüksek akım uygulamaları, güç dönüştürücüleri, motor sürücüleri ve anahtarlama devreleri gibi endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında kullanılmaktadır. Bileşen üretim durdurulmuş (obsolete) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1375 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 187W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok