Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PHB101NQ04T,118
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- TO-263-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PHB101NQ04T
PHB101NQ04T,118 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PHB101NQ04T,118, 40V drain-source voltaj ve 75A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bir N-Channel MOSFET transistördür. D²Pak (TO-263) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, 8mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen bu transistör, güç dönüştürme, anahtarlama devreleri ve motor sürücü uygulamalarında kullanılır. 36.6nC gate charge ve 2020pF input capacitance özellikleriyle hızlı komütasyon gerektiren endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde yer alır. Bileşen şu anda üretim dışı (Obsolete) durumdadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 75A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2020 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 157W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok