Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PH9030AL115

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PH9030AL115

PH9030AL115 Hakkında

PH9030AL115, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistörüdür. 30V drain-source gerilimi (Vdss) ve 61A sürekli drain akımı (Id) kapasitesine sahip bu transistör, güç anahtarlama ve güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 8mOhm (10V, 15A'de) düşük on-state direnci ile enerji kaybını minimize eder. SC-100 / SOT-669 (LFPAK56, Power-SO8) yüzey montaj paketinde sunulan bileşen, endüstriyel kontrol sistemleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve güç kaynağı tasarımlarında yaygın olarak uygulanır. 2.15V kapı eşik gerilimi (Vgs(th)) ile CMOS/TTL lojik seviyeleriyle uyumludur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 61A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1006 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok