Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PH9025L,115

MOSFET N-CH 25V 66A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PH9025L

PH9025L,115 Hakkında

PH9025L,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source gerilimi ve 66A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip olan bu bileşen, LFPAK56 (SC-100, SOT-669) yüzey montaj paketi içerisinde sunulmaktadır. 9mΩ @ 10A, 10V maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile +150°C arasında çalışmaya uygun olup, 62.5W maksimum güç dissipasyonuna sahiptir. 4.5V/10V drive voltage aralığında çalışır ve 12.8nC @ 4.5V gate charge karakteristiğine sahiptir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, güç yönetimi ve DC-DC dönüştürücü devrelerde kullanıma uygundur. LFPAK56 paketi, kompakt ve yüksek ısı iletim kapasitesi gerektiren tasarımlar için tercih edilir. Ürün obsolete durumdadır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 66A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1414 pF @ 30 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok