Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH5525L,115
MOSFET N-CH 25V 81.7A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH5525L
PH5525L,115 Hakkında
PH5525L,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. Maksimum 25V Drain-Source gerilimi ve 81.7A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 5.5mΩ (10V, 25A'da) düşük on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. SC-100 (LFPAK56) Surface Mount paketinde sunulan bu komponent, güç dönüştürme devreleri, motor kontrol, anahtarlama uygulamaları ve DC-DC konvertörlerde yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir, maksimum 62.5W güç dağıtabilir. Komponentin Vgs(th) 2.15V ile düşük kapı gerilimi nedeniyle lojik seviyelerde kontrolü kolaydır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 81.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16.6 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2150 pF @ 12 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.15V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok