Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH5330E,115
MOSFET N-CH 30V 80A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH5330E
PH5330E,115 Hakkında
PH5330E,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 80A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. LFPAK56 (Power-SO8) paketinde sunulan bu transistör, düşük RDS(on) değeri (5.7mΩ @ 10V) sayesinde verimli anahtarlama işlemleri gerçekleştirir. Maksimum 62.5W güç dağıtabilen komponent, motor kontrol, DC-DC dönüştürücüler, elektrik araçları ve endüstriyel şarj sistemleri gibi uygulamalarda tercih edilir. ±20V gate gerilimi toleransı ve geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) ile zorlu ortamlar için uygundur. 21nC gate charge ve düşük input kapasitansı hızlı anahtarlama sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 21 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2010 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok