Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH3855L,115
MOSFET N-CH 55V 24A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH3855L
PH3855L,115 Hakkında
PH3855L,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 55V drain-source gerilim (Vdss) ve 24A sürekli drain akımı (Id) kapasitesi ile orta güçlü uygulamalarda kullanılır. 36mOhm RDS(on) değeri ile düşük sıcaklık kayıplarında çalışmaya elverişlidir. SC-100 (LFPAK56) yüzey montajlı paketinde sunulan bu FET, motor kontrol, güç yönetimi, anahtarlama devrelerinde ve DC-DC dönüştürücülerde uygulanır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. 50W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve ticari uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 24A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.7 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 765 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 36mOhm @ 15A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok