Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PH3830L,115

MOSFET N-CH 30V 98A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PH3830L

PH3830L,115 Hakkında

PH3830L,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ile maksimum 98A sürekli drain akımı sağlayabilir. 3.8mΩ on-resistance (10V, 25A şartlarında) ile düşük kayıp ve yüksek verimlilik sunar. LFPAK56 (SC-100, SOT-669) paketinde sağlanan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol sistemleri ve doğrultma uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Surface mount teknolojisi ile PCB'ye doğrudan monte edilir. Gate gerilimi ±20V'a kadar tolerans gösterir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 98A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3190 pF @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok