Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH3120L,115-NXP
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH3120L
PH3120L,115-NXP Hakkında
PH3120L,115-NXP, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı ve 20V drain-source voltajı ile yüksek güç uygulamaları için tasarlanmıştır. 2.65mΩ RDS(on) değeri ile düşük iletim direnci sağlar ve 62.5W güç dağılımına kapaklıdır. -55°C ile 150°C arasında çalışır. SC-100 (SOT-669) ve LFPAK56 Power-SO8 paketleriyle sunulan bu MOSFET, motor kontrolü, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve güç yönetimi devrelerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4457 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok