Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH3120L,115
NEXPERIA PH3120L - 100A, 20V, 0.
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH3120L
PH3120L,115 Hakkında
PH3120L, NEXPERIA tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100A sürekli drain akımı ve 20V drain-source voltaj kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılır. 2.65mOhm (10V, 25A) RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığında kullanılabilir. Surface mount LFPAK56 paketinde sunulan bu transistör, şarj kontrolü, motor sürücüler, anahtarlama güç kaynakları ve DC-DC dönüştürücüler gibi endüstriyel ve tüketici elektronik uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 48.5 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4457 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.65mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok