Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH1955L,115
MOSFET N-CH 55V 40A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH1955L
PH1955L,115 Hakkında
PH1955L,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 55V drain-source gerilimi ve 40A sürekli drain akımı ile güç uygulamalarında kullanılır. 17.3mΩ on-direnci (Rds On @ 10V) ile düşük enerji kaybı sağlar. SC-100 LFPAK56 yüzeye monte paketinde sunulan bu bileşen, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüler, anahtarlama uygulamaları ve batarya yönetim sistemlerinde tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığına sahiptir. Maksimum 75W güç yayabilir. Kompakt tasarımı ve düşük parazitik kapasitanslı yapısı yüksek frekanslı uygulamalara uygunluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1992 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 75W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17.3mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok