Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
PH1875L,115
MOSFET N-CH 75V 45.8A LFPAK56
- Üretici
- NXP Semiconductors
- Paket/Kılıf
- SOT-669
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- PH1875L
PH1875L,115 Hakkında
NXP Semiconductors tarafından üretilen PH1875L,115, N-Channel MOSFET transistörüdür. Maksimum 75V drain-source gerilimi ve 45.8A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. LFPAK56 (Power-SO8) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, düşük RDS(on) değeri (16.5mOhm @ 10V) sayesinde güç uygulamalarında verimli anahtarlama sağlar. ±15V gate gerilimi aralığında çalışır ve -55°C ile 150°C arasında kullanılabilir. Motor kontrol, güç kaynakları, LED sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. Maksimum 62.5W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 45.8A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.4 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2600 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | SC-100, SOT-669 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 62.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16.5mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | LFPAK56, Power-SO8 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±15V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok