Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

PH1825AL,115

MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56

Paket/Kılıf
SOT-669
Seri / Aile Numarası
PH1825AL

PH1825AL,115 Hakkında

PH1825AL,115, NXP Semiconductors tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 25V drain-source voltajında 100A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük 1.8mOhm (10V, 25A'da) kapalı durum direncine sahiptir. LFPAK56 (SOT-669) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, motor kontrolü, invertör devreleri ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışan PH1825AL, maksimum 104W güç dissipasyonu yeteneğine ve 4.5V/10V gate sürü voltajına sahiptir. 31nC gate yükü ve 4300pF giriş kapasitansı ile hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Obsolete ürün olup, yeni tasarımlarda yerine geçecek güncel alternatifler incelenmelidir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4300 pF @ 12 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case SC-100, SOT-669
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok