Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NXV90EPR
NXV90EP/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXV90EP
NXV90EPR Hakkında
NXV90EPR, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V (Vdss) maksimum dren-kaynak gerilimi ve 1.5A (Id) sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışır. 120mΩ (Rds On) on-direnci sayesinde düşük güç kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığında (-55°C ~ 150°C) stabil performans gösterir. SOT-23 paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Düşük gate charge (7.7nC) ve kompakt tasarımı taşınabilir elektronik cihazlarda tercih edilmesini sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.5A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 252 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 1.5A, 10V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok