Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NXV75UPR
NXV75UP/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXV75UP
NXV75UPR Hakkında
NXV75UPR, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu komponent, 20V drain-source voltajı ve 1.8A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 90mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük anahtarlama kayıpları sağlar. ±8V gate-source voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında kullanılabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak tercih edilir. Düşük gate charge değeri (6.3nC) hızlı anahtarlama işlemini destekler.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.8A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 330 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok