Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NXV65UPR
NXV65UP/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXV65UP
NXV65UPR Hakkında
NXV65UPR, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 20V (Vdss) drenaj-kaynak gerilimi ve 2.1A sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. TO-236-3 (SOT-23) paketinde sunulan bu bileşen, düşük güç tüketimi gerektiren mobil cihazlar, güç yönetimi devreleri, ses amplifikatörleri ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 70mΩ maksimum Rds(on) değeri ile enerji kaybı minimize edilir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.1A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 458 pF @ 10 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70mOhm @ 2.1A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok