Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NXV55UNR
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NXV55UN
NXV55UNR Hakkında
NXV55UNR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilim ve 1.9A sürekli drain akımı kapasitesi ile genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 66mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-236-3 (SOT-23) yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, aydınlatma kontrolü, motor sürücü devreleri ve batarya yönetim sistemlerinde yaygın olarak yer alır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve tüketici uygulamalarında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.9A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 352 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 340mW (Ta), 2.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 66mOhm @ 1.9A, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok