Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NX6008NBKR
NX6008NBK/SOT23/TO-236AB
- Üretici
- Nexperia
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NX6008
NX6008NBKR Hakkında
NX6008NBKR, Nexperia tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 60V Drain-Source gerilimi ve 270mA sürekli drenaj akımı ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. 2.8Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli güç transferi sağlar. TO-236 (SOT-23) yüzey montaj paketi ile küçük yer kaplayıcı tasarımlar için uygundur. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Düşük gate yükü (0.7nC) ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 270mA (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7 nC @ 4.5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 27 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 270mW (Ta), 1.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8Ohm @ 300mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | TO-236AB |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok