Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NX3008PBKMB,315

MOSFET P-CH 30V 300MA DFN1006B-3

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
3-XFDFN
Seri / Aile Numarası
NX3008

NX3008PBKMB,315 Hakkında

NX3008PBKMB, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 30V drain-source gerilimi ve 300mA sürekli drain akımı kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 4.1Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. DFN1006B-3 yüzey montajlı paketinde sunulan bu bileşen, kompakt devre tasarımlarında gümrük kontrol, motor sürücüleri ve diğer anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir. Düşük gate yükü (0.72nC) ve düşük giriş kapasitansi (46pF) hızlı anahtarlama devrelerine uygundur.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 300mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.72 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 46 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case 3-XFDFN
Part Status Obsolete
Power Dissipation (Max) 360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V
Supplier Device Package DFN1006B-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok