Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NX2301P,215

MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB

Üretici
Nexperia
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NX2301P

NX2301P,215 Hakkında

NX2301P,215, Nexperia tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 20V Drain-Source gerilimi ve 2A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-236-3 (SOT-23-3) yüzey montajı paketinde sunulmaktadır. 120mOhm maksimum kanal direnci (Rds On), 4.5V kapı geriliminde 1A akımda ölçülmüştür. 6nC gate charge ve 380pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama işlemleri için uygundur. ±8V maksimum kapı gerilimi ile kontrol edilir. 150°C'ye kadar çalışabilir. Anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, yük kontrolü ve batarya yönetim sistemlerinde kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380 pF @ 6 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 2.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120mOhm @ 1A, 4.5V
Supplier Device Package TO-236AB
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±8V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok