Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTYS9D6P04M8LTWG

MV8 40V LL SINGLE PCH L

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
SOT-1205
Seri / Aile Numarası
NVTYS9D6P04M8LT

NVTYS9D6P04M8LTWG Hakkında

NVTYS9D6P04M8LTWG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ile 16A sürekli drenaj akımı sağlayan bu bileşen, düşük on-resistance (9.6mOhm @ 25A, 10V) özellikleriyle güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. SOT-1205 (8-LFPAK56) yüzey montaj paketinde sunulan komponent, -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığında kararlı performans gösterir. DC-DC dönüştürücüler, güç yönetimi devreleri, batarya yönetim sistemleri ve endüstriyel elektronik uygulamalarında tercih edilir. 3.9W (Ta) / 75W (Tc) güç tüketimi kapasitesi sayesinde yüksek akım uygulamalarında kullanılabilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 71A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2368 pF @ 25 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case SOT-1205, 8-LFPAK56
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.9W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device Package 8-LFPAK
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 580µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok