Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTYS029N08HTWG
T8 80V N-CH SG IN LFPAK33
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- SOT-1205
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTYS029N08HT
NVTYS029N08HTWG Hakkında
NVTYS029N08HTWG, onsemi tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilimi ve 6.4A sürekli dren akımı kapasitesi ile çalışmaktadır. SOT-1205 8-LFPAK56 paketinde sunulan bu bileşen, 32.4mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar. Gate charge değeri 6.3nC olup, hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.4A (Ta), 21A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 369 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | SOT-1205, 8-LFPAK56 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 33W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32.4mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-LFPAK |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok