Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTR4502PT1G

MOSFET P-CH 30V 1.13A SOT23-3

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NVTR4502PT

NVTR4502PT1G Hakkında

NVTR4502PT1G, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 30V drain-source voltajı ve 1.13A sürekli drain akımı özellikleriyle çalışır. 200mOhm (10V, 1.95A'da) RDS(on) değeri ile düşük kaçak akımı sağlar. Gate charge kapasitesi 10nC ve input kapasitesi 200pF'dir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında stabil çalışan bu MOSFET, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, load switching ve motor kontrol gibi alanlarda kullanılır. 400mW güç yayılım kapasitesi ile kompakt tasarımları destekler.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.13A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 200 pF @ 15 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 200mOhm @ 1.95A, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok