Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTR0202PLT1G

MOSFET P-CH 20V 400MA SOT23

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
TO-236-3
Seri / Aile Numarası
NVTR0202PLT1G

NVTR0202PLT1G Hakkında

NVTR0202PLT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. 20V drain-source gerilimi ve 400mA sürekli dren akımı kapasitesiyle düşük güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri için tasarlanmıştır. 10V gate geriliminde 800mΩ maksimum Rds(on) değeri verimli enerji aktarımı sağlar. SOT-23-3 paket format sayesinde kompakt PCB tasarımlarında kullanılabilir. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu bileşen, tüketici elektroniği, endüstriyel kontrol, güç yönetimi ve IoT uygulamalarında yaygın olarak yer almaktadır. 2.18nC gate charge ve 70pF input capacitance değerleri hızlı anahtarlama özelliği sunar.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 70 pF @ 5 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 225mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 200mA, 10V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok