Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTR01P02LT1G
MOSFET P-CH 20V 1.3A SOT23-3
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- TO-236-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTR01P02LT1G
NVTR01P02LT1G Hakkında
NVTR01P02LT1G, onsemi tarafından üretilen P-channel MOSFET transistördür. SOT-23-3 (TO-236) yüzey monte paketinde sunulan bu bileşen, maksimum 20V drain-source gerilimi ve 1.3A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. Rds(on) değeri 4.5V gate geriliminde 220mOhm olarak belirlenmiştir. 3.1nC gate charge ve 225pF input kapasitansı ile hızlı anahtarlama uygulamalarına uygundur. ±12V maksimum gate gerilimi aralığında çalışabilen bu transistör, güç yönetimi, analog anahtarlama, load switch ve düşük güçlü kontrol devreleri gibi uygulamalarda kullanılır. 400mW maksimum güç tüketimi ile kompakt tasarımlara entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.3A (Ta) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 3.1 nC @ 4 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 225 pF @ 5 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 400mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 220mOhm @ 750mA, 4.5V |
| Supplier Device Package | SOT-23-3 (TO-236) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1.25V @ 250µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok