Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFWS052P04M8LTAG

MOSFET P-CH 40V 4.7A/13.2A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFWS052P04M8LT

NVTFWS052P04M8LTAG Hakkında

NVTFWS052P04M8LTAG, onsemi tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 40V drain-source gerilimi ve 4.7A (Ta) / 13.2A (Tc) sürekli akım kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, 69mOhm (10V, 5A) on-state direnci ile düşük güç kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 2.9W (Ta) / 23W (Tc) güç tüketebilir. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç yönetimi devreleri ve batarya koruma sistemlerinde kullanılır. ±20V gate-source gerilimi ve 6.3nC gate yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.7A (Ta), 13.2A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 424 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 2.9W (Ta), 23W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 69mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 95µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok