Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFWS027N10MCLTAG
PTNG 100V LL U8FL
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFWS027N10
NVTFWS027N10MCLTAG Hakkında
NVTFWS027N10MCLTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 100V drain-source gerilim kapasitesi ve 7.4A (Ta) / 28A (Tc) sürekli dren akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. 26mΩ maksimum RDS(on) değeriyle düşük iletim direnci sağlar. 8-PowerWDFN paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol devreleri ve güç dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. 4.5V ve 10V sürüş gerilimi kapasiteleriyle PWM kontrol uygulamalarında efektif şekilde kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.4A (Ta), 28A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26mOhm @ 7A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 38µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok