Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFWS014P04M8LTAG

MOSFET P-CH 40V 11.3A/49A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFWS014P04M8L

NVTFWS014P04M8LTAG Hakkında

onsemi tarafından üretilen NVTFWS014P04M8LTAG, 40V Drain-Source gerilimi ile çalışan P-channel MOSFET transistördür. Surface mount 8-WDFN paket içinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 11.3A sürekli dren akımı ve 49A Tc'de çalışabilir. 10V gate geriliminde 13.8mΩ on-direnci ile düşük güç kaybı sağlar. Gate şarjı 26.5nC (10V) ve 1734pF giriş kapasitansi (-55°C ~ 175°C çalışma aralığında) özellikleriyle geleneksel anahtarlama uygulamalarında, güç yönetimi devrelerinde ve analog/dijital kontrol sistemlerinde kullanılır. ±20V maksimum gate-source gerilimi toleransı, 3.2W (Ta) ve 61W (Tc) maksimum güç dağılımı kapasitesi ile tasarlanmıştır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.3A (Ta), 49A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1734 pF @ 20 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.2W (Ta), 61W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.8mOhm @ 15A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 420µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok