Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS6H888NTAG
MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS6H888
NVTFS6H888NTAG Hakkında
NVTFS6H888NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V dren-kaynak gerilimi (Vdss) ve 12A sürekli dren akımı (Tc'de) kapasitesiyle güç anahtarlama ve motor kontrol uygulamalarında kullanılır. 55mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı pakette sunulan bu transistör, -55°C ile +175°C arasında çalışabilir. Kuvvetli gate sürüşü (10V) ve düşük gate yükü (4.7nC) karakteristikleriyle hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. Güç kaynakları, LED sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak uygulanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Ta), 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 220 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 2.9W (Ta), 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 15µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok