Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFS6H880NLWFTAG

MOSFET N-CH 80V 6.6A/22A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFS6H880N

NVTFS6H880NLWFTAG Hakkında

NVTFS6H880NLWFTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim (Vdss) ve 6.6A (Ta) / 22A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında anahtarlama ve amplifikasyon görevleri yapar. 8-PowerWDFN paket tipinde tasarlanmış olup, düşük 29mΩ RDS(on) değeri (10V, 5A koşullarında) ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 9nC ve giriş kapasitesi 431pF ile yüksek frekans uygulamalarında kullanılabilir. -55°C ~ 175°C çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesini destekler. Anahtarlama güç kaynakları, motor sürücüleri ve elektrik yönetim devrelerinde yaygın olarak kullanılır.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6.6A (Ta), 22A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 431 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok