Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS6H860NWFTAG
MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS6H860N
NVTFS6H860NWFTAG Hakkında
NVTFS6H860NWFTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim desteği ile orta güç uygulamalarında kullanılmaktadır. 8A sürekli drain akımı (Ta) ve 30A ölçüm kapasitesi (Tc) ile dc-dc dönüştürücüler, motor sürücüler, güç yönetimi devreleri ve anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. 21.1mOhm RDS(on) değeri ile düşük ısı kaybı sağlar. 8-WDFN (3.3x3.3mm) yüzeye monte paketinde sunulan bu transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışır. 4V kapı-kaynak eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama kontrollü uygulamalara uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.1mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok