Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
NVTFS6H860NTAG
MOSFET N-CH 80V 8A/30A 8WDFN
- Üretici
- onsemi
- Paket/Kılıf
- 8-PowerWDFN
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- NVTFS6H860N
NVTFS6H860NTAG Hakkında
NVTFS6H860NTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source gerilimi ve 30A (Tc'de) sürekli drenaj akımı kapasitesine sahiptir. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montaj paketinde sunulur. Düşük on-resistance değeri (21.1mOhm @ 5A, 10V) ile güç tüketimini minimize eder. -55°C ile +175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabildir. Güç yönetimi, DC/DC dönüştürücüleri, motor sürücüleri, anahtarlama uygulamaları ve endüstriyel kontrol devreleri gibi alanlarda kullanılır. 10V drive voltajı ile standart lojik seviyeleriyle uyumludur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8A (Ta), 30A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 510 pF @ 40 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.1mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | 8-WDFN (3.3x3.3) |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok