Transistörler - FET, MOSFET - Tekil

NVTFS6H860NLWFTAG

MOSFET N-CH 80V 8.1A/30A 8WDFN

Üretici
onsemi
Paket/Kılıf
8-PowerWDFN
Seri / Aile Numarası
NVTFS6H860NL

NVTFS6H860NLWFTAG Hakkında

NVTFS6H860NLWFTAG, onsemi tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 80V drain-source gerilim desteği ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmaya uygun olup, 30A (Tc) sürekli dren akımı kapasitesi ile güç yönetimi ve anahtarlama devreleri için tasarlanmıştır. 8-PowerWDFN (3.3x3.3mm) yüzey montajlı paket ile kompakt PCB tasarımı sağlar. 20mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında kullanılabilir. SMPS, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında tercih edilir.

Teknik Özellikler

Parametre Değer
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.1A (Ta), 30A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 610 pF @ 40 V
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case 8-PowerWDFN
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20mOhm @ 5A, 10V
Supplier Device Package 8-WDFN (3.3x3.3)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) ±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 30µA

Kaynaklar

Datasheet

Datasheet mevcut değil

Pinout

Pinout mevcut değil

Eşdeğerler (Muadiller)

Eşdeğer (muadil) veri yok